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过去十几年，惠普公司的一个科学家团队一直在实验室进行记忆电阻的研究，也可称为忆阻器。什么是忆阻器呢，简单的说，就是一种有存储能力的电阻，根据HP的说法，忆阻器可以提高基于闪存的存储十倍或者更高的存取速度。

HP公司高级研究员，量子科研部主管Stan Williams在2009年8月的闪存芯片峰会（Flash Memory Summit）上说到，这就像是发现了电阻、电容、电感之外的第四种基本的电路性能，这有可能改变电子世界的运行方式。现在一年未过，Williams就已生成他们发现了忆阻器有着以前没有想过的能力。如果将来忆阻器应用在了存储器件上，将会带来巨大的芯片技术进步。

“虽然现在摩尔定律不那么准确了，但是仍有参考价值。不过忆阻器要是上市的话，摩尔定律将被彻底终结”，Williams似乎很认真的说。